အလူမီနီယမ်သတ္တုစပ်ရှိအမျိုးမျိုးသောဒြပ်စင်များ၏အခန်းကဏ်။

ကေြးနီ

လူမီနီယမ် - ကြေးနီအလွိုင်း၏လူမီနီယံ - ကြွယ်ဝသောအစိတ်အပိုင်းမှာ 548 ဖြစ်သည့်အခါလူမီနီယမ်တွင်ကြေးနီအများဆုံးပျော်ဝင်မှုသည် 5.65% ဖြစ်သည်။ အပူချိန် 302 သို့ကျဆင်းသွားသည့်အခါကြေးနီ၏ပျော်ဝင်မှုသည် 0.45% ဖြစ်သည်။ ကြေးနီသည်အရေးကြီးသောအလွိုင်းဒြပ်စင်တစ်ခုဖြစ်သည်။ ထို့အပြင်အိုမင်းခြင်းဖြင့်မိုးရွာသွန်းမှုသည်သက်ကြီးရွယ်အိုများအားအားဖြည့်ခြင်းသက်ရောက်မှုရှိသည်။ အလူမီနီယမ်သတ္တုစပ်ရှိကြေးနီအကြောင်းအရာသည်များသောအားဖြင့် 2.5% နှင့် 5% အကြားရှိပြီး, အလူမီနီယမ် - ကြေးနီသတ္တုစပ်များသည်ဆီသွန်ဆန်, မဂ္ဂနီယမ်, မန်းဂနိစ်, ခရိုမီယမ်, သွပ်,

ဆီလီဂရမ်

Al-Si Allot System ၏လူမီနီယံကြွယ်ဝသောအစိတ်အပိုင်းမှာ 577 တွင် eutectic အပူချိန် 577 တွင်အမြင့်ဆုံးပျော်ပွဲရွှင်ပွဲ၏အများဆုံးပျော်ဝင်နိုင်မှုမှာ 1.65% ဖြစ်သည်။ သာယာချမ်းမြေ့မှုသည်အပူချိန်လျှော့ချခြင်းနှင့်အတူလျော့ကျလာသော်လည်းဤသတ္တုစပ်များသည်များသောအားဖြင့်အပူကုသမှုဖြင့်အားကောင်းလာစေရန်မနိုင်ပါ။ အလူမီနီယမ် - ဆီလီကွန်အလ်ယန်းသည်အလွန်ကောင်းမွန်သောဂုဏ်သတ္တိများနှင့်ချေးခြင်းကိုခံနိုင်ရည်ရှိသည်။ အကယ်. မဂ္ဂနီစီယမ်နှင့်ဆီလီကွန်ကိုလူမီနီယမ်နီယမ်သတ္တုစပ်ကိုပြုလုပ်ရန်တစ်ချိန်တည်းတွင်အလူမီနီယမ်သို့တစ်ချိန်တည်းတွင်ထည့်ပါကအလူမီနီယမ်နီနီနီလီယမ်သတ္တုစပ်ကိုဖွဲ့စည်းရန်အလူမီနီယမ်တွင်ပါ 0 င်ပါက Mgsi ဖြစ်သည်။ ဆီလီကွန်သို့မဂ္ဂနီစီယမ်သို့အစုလိုက်အပြုံလိုက်အချိုးသည် 1.73: 1 ဖြစ်သည်။ Al-Mg-Si Allot ၏ဖွဲ့စည်းမှုကိုဒီဇိုင်းရေးဆွဲရာတွင်မဂ္ဂနီစီယမ်နှင့်ဆီလီကွန်ပါအကြောင်းအရာများသည်ဤအချိုးအစားတွင်ဤအချိုးအစားတွင်ဤအချိုးအစားတွင် configure လုပ်ထားသည်။ အချို့သော Al-Mg-Si Allots ၏အားသာချက်ကိုတိုးတက်စေရန်သင့်လျော်သောကြေးနီပမာဏကိုထည့်သွင်းထားပြီး crosper-crosper ကိုခံနိုင်ရည်ရှိသည့်ကြေးနီ၏ဆိုးကျိုးများကိုထေမိစေရန်သင့်လျော်သော chromium ကိုထည့်သွင်းထားသည်။

Al-Mg2Si Allot System ၏ alidileium aluminum aluminum dagram ရှိလူမီနီယမ်တွင်အလူမီနီယမ်တွင် MG2SI တွင် MG2SI တွင်အများဆုံးပျော်ဝင်နိုင်မှုမှာ 1.85% ရှိသည်။ အပူချိန်လျော့နည်းလာသည်နှင့်အမျှ deceleration သည်သေးငယ်သည်။ ပုံပျက်သောအလူမီနီယမ်သတ္တုစပ်များ၌လူမီနီယမ်သို့တစ်ခုတည်းသောဆီလီကွန်ထပ်ပေါင်းခြင်းများကိုဂဟေဆော်ခြင်းများနှင့်သာကန့်သတ်ထားသည်။

မဂ္ဂနီယိုင်

သာယာဝပြောရေးကွေးကအလူမီနီယမ်တွင်မဂ္ဂနီစီယမ်တွင်ပျော်ဝင်နိုင်မှုသည်အပူချိန်လျော့နည်းလာသည်နှင့်အမျှမဂ္ဂနီစီယမ်ယမ်ယမ်ယမ်ယမ်ကိုအလွန်လျော့နည်းစေသည် ဆီလီကွန်ပါဝင်မှုလည်းနိမ့်သည်။ ဤအလွိုင်းအမျိုးအစားအပူကုသမှုဖြင့်အားဖြည့်လို့မရပါဘူး။ မဂ္ဂနီစီယမ်၏လူမီနီယမ်ကိုအားဖြည့်ခြင်းသည်ထင်ရှားသည်။ 1% တိုင်းသည်မဂ္ဂနီစီယမ်တွင် 1% မြင့်တက်ခြင်းအတွက်ခန့်မှန်းခြေအားဖြင့် 34mpa အားဖြင့်ဆန့်တင်းခိုင်ရောဂါများတိုးပွားလာသည်။ 1% အောက်သာဖြည့်စွက်ပါကအားဖြည့်ခြင်းအကျိုးသက်ရောက်မှုကိုဖြည့်စွက်နိုင်သည်။ ထို့ကြောင့်မန်းဂနိစ်ကိုထည့်ခြင်းသည်မဂ္ဂနီစီယမ်ပါဝင်မှုကိုလျှော့ချပြီးပူပြင်းတွန့်ဆုတ်ခြင်း၏သဘောထားကိုလျှော့ချနိုင်သည်။ ထို့အပြင်မန်းဂနိစ်သည် MG5AL8 ဒြပ်ပေါင်းများကိုတစ် ဦး ချင်းစီကိုတည့်မတ်အားဖြည့်ဆည်းပေးနိုင်သည်,

မွမ်

ပြားချပ်ချပ် equilibrium အဆင့်၏ eutectic အပူချိန်မှာ Al-Mn Alloy System ၏ 658 နှစ်မှာ 658 နှစ်အရွယ်တွင်အစိုင်အခဲဖြေရှင်းချက်တွင်မန်းဂနိစ်၌အများဆုံးပျော်ဝင်ကြည်ချနိုင်မှုမှာ 1.82% ဖြစ်သည်။ အဆိုပါအလွိုင်း၏အစွမ်းသတ္တိ၏အားသာချက်သည်ပျော်ဝင်မှုတိုးပွားလာခြင်းနှင့်အတူတိုးပွားလာသည်။ မန်းဂနိစ်ပါဝင်မှု 0.8% သည် 0.8% ဖြစ်သည်။ Al-Mn Alloy သည်အသက်အရွယ်မကြီးသောအလွိုင်းဖြစ်ပြီးအပူကုသခြင်းဖြင့်အားဖြည့ ်. မရပါ။ မန်းဂနိစ်သည်အလူမီနီယမ်သတ္တုစပ်များကိုပြန်လည်ကောင်းမွန်လာခြင်း, Rectstallized Grains ၏သန့်စင်မှုသည်အဓိကအားဖြင့် MNAL6 ဒြပ်ပေါင်းများ၏ပျံ့နှံ့နေသောအမှုန်များသည်ပြန်လည်စက်ဆုပ်ရွံရှာဖွယ်ကောင်းသောအစေ့များကြီးထွားမှုကိုဟန့်တားစေသည်။ MNAL6 ၏အခြားလုပ်ဆောင်ချက်တစ်ခုမှာအညစ်အကြေးဖြစ်စေရန်သံကို (fe, mn) al6 ကိုပေါင်းစပ်ရန်, သံ၏အန္တရာယ်ရှိသောသက်ရောက်မှုများကိုလျှော့ချရန်ဖြစ်သည်။ မန်းဂနိစ်သည်လူမီနီယမ်သတ္တုစပ်များတွင်အရေးကြီးသောဒြပ်စင်တစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်းကို Al-Mn Binary Alloy ကိုဖွဲ့စည်းရန်တစ်ခုတည်းသောထည့်သွင်းနိုင်သည်။ များသောအားဖြင့်၎င်းကိုအခြားသတ္တုစပ်ဒြပ်စင်များနှင့်အတူတကွပေါင်းထည့်သည်။ ထို့ကြောင့်အလူမီနီယမ်သတ္တုစပ်အများစုတွင်မန်းဂနိစ်ပါ 0 င်သည်။

သွယ်

aluminum ရှိသွပ်၏ပျော်ဝင်မှုသည် 275 တွင် 275 တွင် 275% တွင်အယ်နီန္ဒီအလွိုင်းစနစ်၏ equilibrium systram ၏ equilibrium aluminial systram ၏ 5.6% အထိကျဆင်းသွားသည်။ သွပ်ရည်ကိုအလူမီနီယံ၌တစ် ဦး တည်းသာအလူမီနီယံ၌ထည့်ခြင်း ပုံပျက်သောအခြေအနေများအောက်ရှိလူမီနီယမ်အလွိုင်း၏အင်အား။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင်စိတ်ဖိစီးမှုခြုံငုံသောအက်ကွဲခြင်းအတွက်စိတ်ဖိစီးမှုအတွက်စိတ်ဓာတ်ကျရန်လိုသည်။ သွပ်နှင့်မဂ္ဂနီစီယမ်ကိုတစ်ချိန်တည်းတွင်အလူမီနီယမ်သို့ထည့်သွင်းခြင်းကအလွိုင်းအပေါ်သိသိသာသာအားဖြည့်ခြင်းသက်ရောက်မှုရှိသော Phase Mg / Zn2 ကိုဖွဲ့စည်းသည်။ MG / ZN2 အကြောင်းအရာ 0.5% မှ 12% မှ 12% အထိတိုးလာသည့်အခါဆန့်နိုင်စွမ်းနှင့်အထွက်နှုန်းအစွမ်းသတ္တိကိုသိသိသာသာတိုးတက်လာနိုင်သည်။ Superhard Aluminum Allots တွင် Mg / Zn2 အဆင့်ကိုမြှင့်တင်ရန်လိုအပ်သောငွေပမာဏထက်ကျော်လွန်သောနေရာများတွင် MG / Zn2 အဆင့်ကိုဖွဲ့စည်းရန်လိုအပ်သည့်ပမာဏထက်ကျော်လွန်သောကြောင့် MG / Zn2 အချိုးကို 2.7 ပတ် 0 န်းကျင်တွင်ထိန်းချုပ်သည်။ ဥပမာအားဖြင့်, Al-Zn-Mg မှကြေးနီဒြပ်စင်ကို al-zn-mg-mg-mg-mg-cu စီးရီးသတ္တုစပ်ကိုဖြည့်စွက်သည်။ အခြေစိုက်စခန်းအားဖြည့်ခြင်းအကျိုးသက်ရောက်မှုသည်လူမီနီယမ်သတ္တုစပ်များထဲတွင်အကြီးဆုံးဖြစ်သည်။ ၎င်းသည်လေကြောင်း, လေကြောင်းစက်မှုလုပ်ငန်းနှင့်လျှပ်စစ်စွမ်းအားစက်မှုလုပ်ငန်းများတွင်အရေးပါသောအလူမီနီယမ်အလွိုင်းပစ္စည်းများဖြစ်သည်။

သံနှင့်ဆီလီကွန်

သံ al-cu-ni-ni-fe fe စီးရီးများရှိအဆိုကို aluminum သတ္တုစပ်များရှိဒြပ်စင်များအနေဖြင့် aluminum သတ္တုစပ်များရှိသည့်ဒြပ်စင်များနှင့်ဆီသလစ်ပြုဂဏန်းများအနေဖြင့် Al-Mg-Si Series ရှိ Aluminum နှင့် Al-Si စီးရီးများနှင့်အလူမီနီယမ်တွင်ထည့်သွင်းထားသည် သတ္တုစပ်။ Base Aluminum သတ္တုစပ်များ၌ဆီလီကွန်နှင့်သံများသည်အသရေနှင့်သတ္တုစပ်များအပေါ်သိသာထင်ရှားသောသက်ရောက်မှုရှိသည်။ ၎င်းတို့သည်အဓိကအားဖြင့် fecl3 နှင့် silicon အခမဲ့ဖြစ်သည်။ ဆီလီကွန်သည်သံထက်ပိုကြီးသည့်အခါβ-feial3 (သို့မဟုတ် fe2si2al9) အဆင့်ကိုဖွဲ့စည်းသည်။ သံနှင့်ဆီလီကွန်အချိုးအစားသည်မသင့်တော်ပါက၎င်းသည်အက်ကြောင်းကြောင့်အက်ကြောင်းကိုဖြစ်ပေါ်စေလိမ့်မည်။ သွန်းသောလူမီနီယမ်တွင်သံအကြောင်းအရာများမြင့်တက်လာသောအခါချပစ်ခြင်းသည်ကျိုးပဲ့သွားလိမ့်မည်။

တိုက်တေနီယမ်နှင့် Boron

Titanium သည်အလူမီနီယမ်သတ္တုစပ်များတွင်အများအားဖြင့်အသုံးပြုသောအပိုပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်သည်။ Titanium နှင့် Aluminum သည် tial2 အဆင့်ကိုဖွဲ့စည်းထားပြီး Crystallization အတွင်းအလိုအလျောက်မဖြစ်သည့် core ဖြစ်လာသည်။ Al-Ti Alloys များသည်အထုပ်တုံ့ပြန်မှုကိုခံယူသောအခါတိုက်တေနီယမ်၏အရေးကြီးသောအကြောင်းအရာသည် 0.15% ခန့်ရှိသည်။ Boron ပစ္စုပ္ပန်ရှိပါကနှေးကွေးမှုသည် 0.01% ကဲ့သို့သေးငယ်သည်။

ခရိုမီယမ်

Chromium သည်အယ်လ် Mg-Si Series, Al-Mg-Zn Series များနှင့် Al-Mg Series Allets တို့တွင်ဘုံအငှားဒြပ်စင်တစ်ခုဖြစ်သည်။ 600 ဒီဂရီစင်တီဂရိတ်တွင်လူမီနီယမ်တွင်ခရိုမီယမ်၏ပျော်ဝင်မှုသည် 0.8% ရှိပြီး၎င်းသည်အခန်းအပူချိန်တွင်အခြေခံအားဖြင့်နက်နက်ရှိုင်းရှိုင်းသာဖြစ်သည်။ Chromium သည် (CRPE) AL7 နှင့် (CRMN) Al7 နှင့် (CRMN) Al12 ကဲ့သို့သော intermetal ဒြပ်စင်များဖြစ်သောအလူမီနီယမ်တွင်အယ်နီနီယမ်တွင်ဖော်ပြထားသည့်အလူမီနီယမ်တွင်ပါ 0 င်သည်။ ၎င်းသည်အလွိုင်း၏ခိုင်မာမှုကိုတိုးတက်စေပြီးချေး cracking ကိုစိတ် 0 င်စားနိုင်မှုကိုလျှော့ချနိုင်သည်။

သို့သော်ထို site သည်တုန်လှုပ်စေသော sensitivity ကိုတိုးပွားစေသည်။ အလူမီနီယမ်သတ္တုစပ်များကိုခရိုမီယမ်ကိုခရိုမီယမ်ထည့်သွင်းထားသည့်အနေဖြင့်ယေဘုယျအားဖြင့် 0.35% ထက်မပိုပါ။

စထရွန်တော်

စထရွန်တီယမ်သည်မျက်နှာပြင်တပ်ဆင်ထားသောဒြပ်စင်တစ်ခုဖြစ်သည်။ ထို့ကြောင့် strontium element ဖြင့်ပြုပြင်မွမ်းမံခြင်းဆေးကုသမှုသည်အလွိုင်း၏ပလပ်စတစ်လုပ်ငန်းနှင့်နောက်ဆုံးထုတ်ကုန်၏အရည်အသွေးကိုတိုးတက်စေနိုင်သည်။ ၎င်း၏ရှည်လျားသောထိရောက်သောပြုပြင်မွမ်းမံချိန်, အကျိုးသက်ရောက်မှုနှင့်မျိုးပွားနိုင်ခြင်းကြောင့်စထရွန်တီယမ်သည်မကြာသေးမီနှစ်များအတွင်း Al-Si Casting Altoys ရှိဆိုဒီယမ်ကိုအသုံးပြုမှုကိုအစားထိုးခဲ့သည်။ 0.015% ~ 0.03% 0.03% စထရွန်တီယမ်သည်α-Alfesi အဆင့်ကိုα-alfesi အဆင့်သို့α-alfesi အဆင့်သို့အလှည့်အပြောင်းသို့ပြောင်းခြင်း, ing-alfesi phase သို့အလှည့်အပြောင်းသို့ပြောင်းခြင်း, ထုတ်ကုန်များ၏မျက်နှာပြင်ကြမ်းတမ်းတိုးတက်အောင်။

မြင့်မားသောဆီလီကွန်အတွက် (10% မှ 13%) သည်လူမီနီယမ်သတ္တုစပ်များကိုပုံပျက်သောကြောင့် 0.02% ~ 0.07% စထရွန်တီယမ်ဒြပ်စင်သည်နိမ့်ဆုံးတွင်အဓိက crystals များကိုလျော့နည်းစေနိုင်သည်။ ဆန့်တင်းတင်းမာမှုကို 233mpa မှ 236MPA မှ 236MPA သို့တိုးချဲ့သည်။ 204mpa မှ 210MA သို့ 210MA မှ 210 မီလီမီတာအထိတိုးလာသည်။ Hypereutectic Al-Si Al-Si Al-Si Al-Si Al-Si Al-Si Al-Si Al-Si Al-Si Al-Si Al-Si Al-Si Al-Si Al-Si Al-Si Al-Si Al-Si Al-Si Al-Si Al-Si Al-Si Al-Si Al-Si Al-Si Al-Si Al-Si Al-Si Al-Si Al-Si) ကိုလျှော့ချနိုင်သည်, ပလပ်စတစ်အပြောင်းအလဲများကိုတိုးတက်စေနိုင်သည်။

ဇာကွန်နီယမ်

ဇာကွန်နီယမ်သည်အလူမီနီယမ်သတ္တုစပ်များတွင်ဘုံအရံတစ်ခုလည်းရှိသည်။ ယေဘုယျအားဖြင့်အလူမီနီယမ်သတ္တုစပ်များထည့်သွင်းထားသောပမာဏသည် 0.1% ~ 0.3% ဖြစ်သည်။ zirconum နှင့်လူမီနီယံဖလားဖိုဒြပ်ပေါင်းများ Form zral3 ဒြပ်ပေါင်းများကိုဖြစ်ပေါ်စေပြီး recrystallization လုပ်ငန်းစဉ်ကိုဟန့်တားနိုင်ပြီး recrystallized grains များကိုသန့်စင်နိုင်သည်။ ဇာကွန်နီယမ်သည်သွန်းဖွဲ့စည်းထားသောဖွဲ့စည်းပုံကိုမွမ်းမံနိုင်သည်။ သို့သော်အကျိုးသက်ရောက်မှုသည်တိုက်တေနီယမ်ထက်ငယ်သည်။ ဇာကွန်နီယမ်သည်တိုက်နီယမ်နှင့်ဘိုရွန်တို့၏စပါးကိုသန့်ရှင်းသောအကျိုးသက်ရောက်မှုကိုလျှော့ချလိမ့်မည်။ al-zn-mg-cu သတ္တုစပ်များတွင် Chirconium သည်ခရိုမီယမ်နှင့်မန်းဂနိစ်ထက် ပို. ထိခိုက်လွယ်သော sensitivity ကိုပိတ်ဆို့ခြင်းအပေါ်သက်ရောက်မှုအနည်းငယ်သာရှိသောကြောင့်,

ရှားပါးဒြပ်စင်

ရှားပါးဒြပ်စင်များအနေဖြင့်အလူမီနီယမ်အလွိုင်းသတ္တုစပ်များ, ၎င်းသည်အရည်ပျော်မှု၏မျက်နှာပြင်တင်းမာမှုကိုလျှော့ချနိုင်ပြီးအရည်ယိုစီးမှုတိုးပွားစေပြီးလုပ်ငန်းစဉ်စွမ်းဆောင်ရည်အပေါ်သိသိသာသာသက်ရောက်မှုရှိသည်။ အမျိုးမျိုးသောရှားပါးမြေများကို 0.1% ခန့်ထည့်ရန်ပိုကောင်းသည်။ ရောနှောထားသောရှားပါးသောမြေကြီးများ (အီးထွေးသော PR-ND) ၏ဖြည့်စွက်မှု (အရောအနှောရောနှောထားသော PR-ND) ၏) အယ်လ်-0.65% MG-0.61% Si Allot တွင်ပါ 0 င်သောအပူချိန်ကိုလျော့နည်းစေသည်။ မဂ္ဂနီစီယမ်ပါသောအလူမီနီယမ်သတ္တုစပ်များသည်ရှားပါးဒြပ်စင်များကိုဖယ်ရှားပေးနိုင်သည်။

ညစ်ညူးခြင်း

ဗန်နာဒီယမ်သည်အရည်ပျော်မှုနှင့်သွန်းလောင်းစဉ်အတွင်းအစေ့များ၌စပါးရိတ်ခြင်းများတွင်ပါ 0 င်သောအလူမီနီယမ်သတ္တုစပ်များ၌ Val111-readordory ပေါင်းစပ်မှုပုံစံများဖြစ်သော်လည်း၎င်း၏အခန်းကဏ် ery သည်ကန်းနီယမ်နှင့်ဇာကွန်နီယမ်ထက်သေးငယ်သည်။ ဗန်နာဒီယမ်သည်ပြန်လည်သင့်အားပြန်လည်ကောင်းမွန်တည်ဆောက်ပုံကိုသန့်စင်ခြင်းနှင့်ပြန်လည်သင့်အားပြန်လည်အပူချိန်ကိုတိုးမြှင့်ခြင်း၏အကျိုးသက်ရောက်မှုလည်းရှိသည်။

အလူမီနီယမ်သတ္တုစပ်ရှိကယ်လ်ဆီယမ်၏အစိုင်အခဲပျော်စရာသည်အလွန်နည်းပါးပြီး၎င်းသည်လူမီနီယမ်နှင့်အတူ caal4 ဒြပ်ပေါင်းများဖြစ်ပေါ်စေသည်။ ကယ်လ်ဆီယမ်သည်အလူမီနီယမ်သတ္တုစပ်များထက်သာလွန်သောဒြပ်စင်တစ်ခုဖြစ်သည်။ ခန့်မှန်းခြေအားဖြင့် 5% ကယ်လ်ဆီယမ်နှင့် 5% မန်းဂနိစ်နှင့်အတူအလူမီနီယမ်သတ္တုစပ်သည်ပိုမိုကြီးမားသောပမာဏရှိသည်။ အလူမီနီယမ်တွင်မစားသောကယ်လစီယမ်နှင့်ဆီလီကွန်ဖာဂံပုံစံ။ ခိုင်လုံသောဖြေရှင်းချက်ဆီလီကွန်ကိုလျှော့ချပြီးကတည်းကစက်မှုစင်ကြယ်သောအလူမီနီယမ်၏လျှပ်စစ်စီးကူးမှုသည်အနည်းငယ်တိုးတက်လာနိုင်သည်။ ကယ်လ်ဆီယမ်သည်အလူမီနီယမ်သတ္တုစပ်များကိုဖြတ်တောက်ခြင်းကိုတိုးတက်စေနိုင်သည်။ Casi2 သည်အပူကုသမှုမှတစ်ဆင့်အလူမီနီယမ်သတ္တုစပ်များကိုအားမပေးနိုင်ပါ။ သမင်ဒ်အလူမီနီယမ်မှဟိုက်ဒရိုဂျင်ကိုဖယ်ရှားရာတွင်ကယ်လ်ဆီယမ်ပမာဏကိုသဲကန္တာရပမာဏကိုအသုံးဝင်သည်။

ခဲ, သံဖြူနှင့်ဘစ်စမတ်ဒြပ်စင်များသည်အရည်ပျော်သည့်အချက်များဖြစ်သည်။ လူမီနီယမ်အတွက်သူတို့ရဲ့အစိုင်အခဲပျော်မွေ့နိုင်စွမ်းသည်သေးငယ်သည်။ ၎င်းသည်အလွိုင်း၏အားသာချက်ကိုအနည်းငယ်လျော့နည်းစေသည်, အစာကျွေးခြင်းအတွက်အကျိုးရှိသည့်ခိုင်မြဲသောစည်းမျဉ်းစည်းကမ်းများအရဘစ်စမတ်သည်တိုးချဲ့သည်။ Bismuth ကို Magnyium သတ္တုစပ်များကိုထည့်သွင်းခြင်းသည်ဆိုဒီယမ် Embitte ကိုကာကွယ်နိုင်သည်။

antimony ကိုအဓိကအားဖြင့်လူမီနီယမ်သတ္တုစပ်များတွင်ပြုပြင်မွမ်းမံခြင်းနှင့်အဓိကအားဖြင့်အသုံးပြုသည်။ ပုံပျက်သောလူမီနီယမ်သတ္တုစပ်များတွင်အသုံးပြုခဲသည်။ Sodium Embitte ကိုကာကွယ်ရန် Al-MG တွင် Bismuth Bismuth ကိုသာအစားထိုးသည်။ Antimony Element သည်ပူပြင်းသည့်ဖိအားများနှင့်အအေးခံခြင်းလုပ်ငန်းစဉ်များ၏စွမ်းဆောင်ရည်ကိုတိုးတက်စေရန်အတွက် Al-Zn-MG-Cu သတ္တုစပ်အချို့တွင်ထည့်သွင်းထားသည်။

Beryllium သည်ပုံပျက်သောအလူမီနီယမ်သတ္တုစပ်များရှိအောက်ဆိုဒ်ရုပ်ရှင်၏ဖွဲ့စည်းပုံကိုတိုးတက်စေပြီးအရည်ပျော်ပြီးအရည်ပျော်နေစဉ်အတွင်းမီးလောင်ကျွမ်းမှုနှင့်ပါ 0 င်မှုများကိုလျှော့ချနိုင်သည်။ Beryllium သည်အဆိပ်အဆိပ်သင့်စေနိုင်သောအဆိပ်အတောက်ဖြစ်စေသောဒြပ်စင်တစ်ခုဖြစ်သည်။ ထို့ကြောင့် Beryllium သည်အစားအစာနှင့်အဖျော်ယမကာများနှင့်အဆက်အသွယ်ရှိသောလူမီနီယမ်သတ္တုစပ်များတွင်မပါ 0 င်ပါ။ ဂဟေဆော်သည့်ပစ္စည်းများရှိ Beryllium အကြောင်းအရာသည်များသောအားဖြင့်8μg / ml အောက်တွင်ထိန်းချုပ်ထားသည်။ ဂဟေဆော်အဖွဲ့များအနေဖြင့်အသုံးပြုသောအလူမီနီယမ်သတ္တုစပ်များကိုလည်း Beryllium အကြောင်းအရာကိုလည်းထိန်းချုပ်သင့်သည်။

ဆိုဒီယမ်သည်အလူမီနီယမ်တွင်နီးပါးနီးပါးနီးပါးနီးပါးနီးပါးရှိပြီးအစိုင်အခဲနိုင်သည့်ပျော်ဝင်မှုသည် 0.0025% ထက်နည်းသည်။ ဆိုဒီယမ်၏အရည်ပျော်မှုအနိမ့်ဆုံးသည်အလယမ်တွင်ဆိုဒီယမ်တွင်ဆိုဒီယမ်တွင်ဆိုဒီယမ်တွင်ရှိနေစဉ် Dendrotrite Surface သို့မဟုတ် Graining Processing အတွင်းရှိ Soundrie တွင်စုပ်ယူထားစဉ်ကန့်သတ်ချက်တွင် secsion အတွင်းဆိုဒီယမ်သည်အရည်စက်များနှင့်စပ်လျဉ်း။ ဆိုဒီယမ်ကိုအရည်ပြောင်းသွားသည်။ ပျက်စီးလွယ်သောအက်ကွဲခြင်း, ရှင်လတ်ဆတ်သောဒြပ်ပေါင်းများဖြစ်ပေါ်လာခြင်းကိုဖြစ်ပေါ်စေခြင်း,

မဂ္ဂနီစီယမ်ယမ်သည် 2% ကျော်လွန်သောအခါမဂ္ဂနီစီယမ်သည်ဆီလီကွန်ကိုခေါ်ယူခြင်းနှင့်အခမဲ့ဆိုဒီယမ်ကိုမိုးရွာသွန်းအောင်ပြုလုပ်သည်။ ထို့ကြောင့်, Magnesium Aluminum Aluminum Aluminum Aluminum Aluminum Alumio ကိုဆိုဒီယမ်ဆား flux ကိုအသုံးပြုရန်ခွင့်မပြုပါ။ "ဆိုဒီယမ် Embrittor လွှတ်ပစ်ခြင်း" ကိုကာကွယ်ရန်နည်းလမ်းများတွင်ကလိုမီယမ်ကို NACL ကိုဖွဲ့စည်းရန်နှင့် seaci ကိုဖွဲ့စည်းရန်နှင့် secaci ကိုဖြိုခွဲခြင်းကိုဖြစ်ပေါ်စေသည်။ NA3SB ဖွဲ့စည်းရန် antimony ကိုဖော်ဆောင်ခြင်းသို့မဟုတ်ရှားပါးသောမြေကြီးများကိုထည့်သွင်းရန်လည်းအလားတူအကျိုးသက်ရောက်မှုရှိနိုင်သည်။

MEMATE Jiang မှ May jiang မှ edited